FET dan MOSFET | Pengertian Kelebihan dan Kekurangannya

FET (Field Effect Transistor) adalah tipe khusus transistor yang terutama cocok untuk aplikasi switching berkecepatan tinggi. FET Gate dikontrol oleh tegangan. Kelebihan utamanya adalah bahwa Gate dikontrol oleh tegangan, bukan dikontrol oleh arus. Ia berprilaku seperti resistansi yang dikontrol tegangan dengan kapasitas untuk performa berfrekuensi tinggi.

 

FET tersedia dalam sebuah konstruksi khusus yang dikenal sebagai MOSFET. MOS adalah kependekan dari metal oxide silicon. MOSFET adalah alat tiga terminal dengan terminal-terminal yang dinamakan source (S), drain (D), dan gate (G), koresponden dengan emitter, kolektor, dan gate dari transistor NPN.

Performa menyeluruh dari sebuah FET serupa dengan sebuah power transistor, kecuali bahwa gate dikontrol oleh tegangan. Konduksi forward dihambat jika tegangan gate rendah, biasanya kurang dari 2 V. Bila tegangan positif V_gs diaplikasi ke terminal gate, FET mengkonduksi dan arus naik dalam FET ke level yang bergantung pada tegangan gate. FET akan mengkonduksi sepanjang tegangan gate diaplikasikan. FET dapat dimatikan dengan menghilangkan tegangan yang diaplikasi ke terminal gate atau dengan membuatnya negatif.

 

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFETs adalah alat pembawa mayoritas, sehingga mereka tidak diperburuk oleh waktu-waktu switching lama. Dengan waktu switching mereka yang sangat singkat, kehilangan switching rendah. Akibatnya, mereka paling cocok untuk aplikasi switching berfrekuensi tinggi. Kelebihan dan kekurangan MOSFET nyaris merupakan kebalikan dari BJT.

Kelebihan utama MOSFET power adalah:

• Kapabilitas switching berkecepatan tinggi (10 – 100 ns)
• Sirkuit perlindungan relatif sederhana
• Gate driver terkontrol tegangan yang relatif sederhana dengan arus gate rendah.

 

Kelemahan atau kekurangan utama MOSFET power adalah:

• Kapabilitas penanganan power relatif rendah
• Penurunan forward voltage relatif tinggi, yang mengakibatkan kehilangan lebih tinggi dibanding GTO dan BJT, membatasi penggunaan MOSFET untuk aplikasi power lebih tinggi.